DI006P02PW
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI006P02PW MOSFET, PowerQFN 2x2, P, -20V, -6A, 25mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI006P02PW

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 2x2
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-20 V

Drainstrom 25°C	ID	-6 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.025 Ω
	@ ID	-6 A
	@ VGS	-5 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.035 Ω
	@ ID	-5 A
	@ VGS	-2.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	2 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-36 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	-0.4 V
	VGSth max	-1 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	10 ns
Anstiegszeit	tr	34 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	21 ns
Abfallzeit	tf	7 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	10 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	13 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	3 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	1242 pF
Ausgangskapazität	Coss	188 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	148 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	2 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.05 g
Kennzeichnung	Marking	NQ
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	75 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	50 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	9 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω