BC857B-Q
Bipolare Transistoren

Produktinformationen

Produktfamilie	Bipolare Transistoren Steuerung und Signalverarbeitung
Artikelbezeichnung	BC857B-Q BJT, SOT-23, 45V, 100mA, PNP, 0.25W, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	BC857B-Q

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-23
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	1

Kollektor Emitter Spannung	VCEO	45 V
DC Kollektorstrom	IC	100 mA
Polarität	pol	PNP

Verlustleistung	Ptot	0.25 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Kollektor Basis Stromverhältnis	hfe	290
	@ VCE	5 V
	@ IC	2 mA
DC current gain (b)	hfe	null
	@ VCE	null V
	@ IC	null mA
DC current gain (c)	hfe	null
	@ VCE	null V
	@ IC	null mA
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Kollektor-Spitzenstrom	ICM	0.2 A
Peak Base current	IBM	20 mA
Collector Base voltage	VCBO	50 V
Emitter Base voltage	VEBO	5 V
Kollektor Sättigungsspannung	VCEsat	650 mV
	@ IC	100 mA
	@ IB	5 mA
Base saturation voltage	VBEsat	0.7 V
	@ IC	10 mA
	@ IB	0.5 mA
Base Emitter voltage	VBE	0.75 V
Collector Base cutoff current	ICBO	15 nA
Emitter Base cutoff current	IEBO	100 nA
Transitfrequenz	ft	100 MHz
	@ IC	10 mA
	@ VCE	5 V
	@ f	100 MHz
Kennzeichnung	Marking	null
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	417 K/W
	Location	ambient
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Nettogewicht	mnet	0.01 g
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Collector Base capacitance	CCBO	4.5 pF
	@ VCB	10 V
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C